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具有主動式場束縛的電磁鐵

作者:admin日期:2018/12/17 13:38

技術領域

本發明大體而言是關于離子注入,且更特定而言本發明關于一種用于 修改(modify)離子束的具有主動式場束縛的電磁鐵。

背景技術

離子注入器通常用于半導體晶圓的生產中。離子束注入器系統產生帶 電離子的離子束,當所述離子被施加至半導體晶圓的表面時,所述離子被注 入或“摻雜”至晶圓表面上。在離子注入器中,寬束(例如,大于約30cm寬) 已變得普遍。出于以下兩個原因寬離子束為有利的:用以減少低能量、高電 流束傳送過程中的空間電荷,及用以提供適用于單個晶圓注入的離子束。

丝瓜视频黄瓜视频在注入之前,有時候要求過濾高能量中性粒子(也稱為能量束縛 (energy?contaminants))。此過濾步驟通常藉由使用靜電偏轉或磁偏轉來 彎曲離子束而提供。關于后一過程,通常使用偶極磁場過濾能量束縛。另 外,偶極磁場亦用于質量分析過濾步驟上游的離子束。

關于寬離子束的一個挑戰在于提供可彎曲垂直于帶狀的平面內的寬離 子束的均勻偶極磁場,而并不使離子注入器系統添加顯著長度,引入離子 束的偏差(aberration)或添加大的雜散磁場。雜散磁場為有害的,因為 其影響偶極磁場的前及之后的離子注入器組件的操作。對于高電流、低能 量離子束而言,亦需要藉由添加多尖角永久磁鐵來增強等離子體中和。然 而,此等多尖角磁鐵在太靠近離子束的情況下可擾亂離子束,因此使得需 要高束線,而高束線必須要求高磁鐵。尤為重要的是,當磁鐵靠近晶圓時 邊緣場快速下降為零(如在能量束縛過濾器中的情況),因為磁鐵的邊緣場 可對晶圓處的電荷中和產生有害效應。

箝位磁場而并不引入離子束的大偏差對設計針對寬離子束的高偶極磁 鐵提出挑戰。習知的,鋼已用于被動地箝位大間隙偶極磁鐵的場以使得場 垂直于鋼表面。另外,鋼提供磁通量的低磁阻路徑。遺憾的是,此方法嚴 重地劣化磁鐵內的場的品質及量值。特定而言,此方法使原始偶極場嚴重 失真,其中原始偶極場平行于鋼表面的方向,且磁通量經由箝位而分流,藉 此減少磁鐵內的場量值。舉例而言,圖1展示無場箝位的一個說明性寬間隙 偶極永久磁鐵A的一部分,圖2則展示添加有鋼B以箝位場的相同磁鐵A。 圖2亦說明上述場失真C及偶極場減弱。需要具有一種束縛偶極磁場而并 不如習知的鋼方法般在其上強加垂直邊界條件的方式。

丝瓜视频黄瓜视频鑒于上述內容,此項技術中需要一種用于修改離子束的具有主動式場 束縛的電磁鐵。

發明內容

本發明是揭露一種包括主動式場束縛的電磁鐵及相關離子注入器系 統。電磁鐵提供在高的大間隙內的具有最小強度失真及劣化的偶極磁場。 在一實施例中,用于修改離子束的電磁鐵包括:包括六個側面的鐵磁箱體 結構;在鐵磁箱體結構的第一側面及第二相對側面中的每一側面中的供離 子束通過的開口;以及具有沿鐵磁箱體結構的內表面的路徑的多個載流導 線,內表面包括第一側面及第二相對側面以及第三側面及第四相對側面,其 中多個載流導線經定位以圍繞第一側面及第二相對側面的開口中的每一開 口延伸。

本發明的第一態樣提供一種用于修改離子束的電磁鐵,所述電磁鐵包 含:包括六個側面的鐵磁箱體結構;在鐵磁箱體結構的第一側面及第二相對 側面中的每一側面中的供離子束通過的開口;以及具有沿鐵磁箱體結構的 內表面的路徑的多個載流導線,內表面包括第一側面及第二相對側面以及 第三側面及第四相對側面,其中多個載流導線經定位以圍繞第一側面及第 二相對側面的開口中的每一開口延伸。

本發明的第二態樣提供一種離子注入器系統,所述離子注入器系統包 含:離子束產生器;以及電磁鐵,所述電磁鐵包括:包括六個側面的鐵磁箱體 結構;在鐵磁箱體結構的第一側面及第二相對側面中的每一側面中的供離 子束通過的開口;以及具有沿鐵磁箱體結構的內表面的路徑的多個載流導 線,內表面包括第一側面及第二相對側面以及第三側面及第四相對側面,其 中多個載流導線經定位以圍繞第一側面及第二相對側面的開口中的每一開 口延伸。

丝瓜视频黄瓜视频本發明的第三態樣提供一種用于離子注入器系統的能量束縛過濾系 統,所述能量束縛過濾系統包含:包括六個側面的鐵磁箱體結構;在鐵磁 箱體結構的第一側面及第二相對側面中的每一側面中的供離子束通過的開 口;以及具有沿鐵磁箱體結構的內表面的路徑的多個載流導線,內表面包括 第一側面及第二相對側面以及第三側面及第四相對側面,其中多個載流導 線經定位以圍繞第一側面及第二相對側面的開口中的每一開口延伸。

本發明的第四態樣提供一種質量分析磁鐵,所述質量分析磁鐵包含:包 括六個側面的鐵磁箱體結構;在鐵磁箱體結構的第一側面及第二相對側面 中的每一側面中的供離子束通過的開口;以及具有沿鐵磁箱體結構的內表 面的路徑的多個載流導線,內表面包括第一側面及第二相對側面以及第三 側面及第四相對側面,其中多個載流導線經定位以圍繞第一側面及第二相 對側面的開口中的每一開口延伸。

丝瓜视频黄瓜视频本發明的第五態樣提供一種用來束縛窗口式框架(window-frame)電磁 鐵的磁場的方法,所述方法包含以下步驟:提供具有沿窗口式框架電磁鐵 的內表面的路徑的多個載流導線,所述多個載流導線在每一窗口的平面內 圍繞每一窗口;以及沿多個載流導線運送電流。

丝瓜视频黄瓜视频本發明的說明性態樣經設計以解決本文所描述的問題及熟習此技藝者 顯而易見的其他未論述的問題。

附圖說明

自本發明的多個態樣的詳細描述且結合描繪本發明的多個實施例的附 隨圖式將更易于了解本發明的所述及其他特征。

圖1展示無磁場箝位的寬間隙偶極永久磁鐵的實例的一部分。

圖2展示圖1的磁鐵添加有鋼以箝位磁場的部分。

圖3A展示根據本發明的一實施例的說明性離子注入器系統的俯視圖。

丝瓜视频黄瓜视频圖3B展示根據本發明的一實施例的另一說明性離子注入器系統的俯視 圖。

圖3C展示根據本發明的一實施例的說明性離子注入器系統的側視圖。

圖4展示根據本發明的包括主動式場束縛的電磁鐵的一實施例的透視 圖。

丝瓜视频黄瓜视频圖5展示圖4的電磁鐵的分解圖。

丝瓜视频黄瓜视频圖6展示圖4的電磁鐵的替代性實施例的側視橫截面圖。

圖7展示圖4的電磁鐵的另一替代性實施例的側視橫截面圖。

丝瓜视频黄瓜视频圖8展示圖4的電磁鐵的另一替代性實施例的俯視橫截面圖。

丝瓜视频黄瓜视频圖9A至圖9B分別展示圖4的電磁鐵的另一替代性實施例的側視圖及 俯視圖。

圖10展示側向弓形的離子束。

丝瓜视频黄瓜视频圖11展示圖4的電磁鐵的另一替代性實施例的側視圖。

丝瓜视频黄瓜视频圖12展示圖4的電磁鐵的另一替代性實施例的端視圖。

丝瓜视频黄瓜视频圖13展示圖4的電磁鐵的另一替代性實施例的端視圖。

丝瓜视频黄瓜视频應注意,并未按比例繪制本發明的圖式。希望所述圖式僅描繪本發明 的典型態樣,且因此不應視為限制本發明的范疇。在圖式中,相同數字代 表圖式之間的相同元件。

丝瓜视频黄瓜视频2:離子束產生子系統?????????????4:離子束

5:離子束過濾子系統?????????????6:離子束掃描子系統

丝瓜视频黄瓜视频8:目標子系統???????????????????10:離子注入器系統

12:目標????????????????????????14:臺板

丝瓜视频黄瓜视频18:目標垂直掃描位置控制器????????????40:氣體流

丝瓜视频黄瓜视频42:離子束源??????????????????????????44:提取操縱器

丝瓜视频黄瓜视频46:過濾磁鐵??????????????????????????48:加速/減速柱

丝瓜视频黄瓜视频50:質量分析器????????????????????????52:偶極原子質量單元(AMU)分析磁鐵

53:半圓半徑??????????????????????????54:質量解析狹縫

丝瓜视频黄瓜视频56:解析孔????????????????????????????60:掃描器

丝瓜视频黄瓜视频62:角度校正器????????????????????????64:掃描原點

丝瓜视频黄瓜视频66:掃描板????????????????????????????68:掃描板

丝瓜视频黄瓜视频72:磁極片????????????????????????????74:磁線圈

100:電腦系統?????????????????????????110:電磁鐵

112:能量束縛過濾系統?????????????????114:加速/減速柱

丝瓜视频黄瓜视频120:箱體結構?????????????????????????122:第一側面

124:第二相對側面?????????????????????126:第三側面

丝瓜视频黄瓜视频128:第四相對側面?????????????????????130:第五側面

132:第六相對側面?????????????????????134:開口

丝瓜视频黄瓜视频140:載流導線?????????????????????????142:內表面

丝瓜视频黄瓜视频144:電流回路?????????????????????????146:磁通量

210:高溫超導體(HTS)電磁鐵????????????240:載流導線

丝瓜视频黄瓜视频260:低溫恒溫器???????????????????????270:束導引箱體

丝瓜视频黄瓜视频272:多尖角磁鐵???????????????????????274:線圈

276:真空?????????????????????????????280:等離子體源

284:中和等離子體?????????????????????290:凸起外表面

292:曲線?????????????????????????????300:離子注入器系統

304:帶狀離子束產生器?????????????????306:離子源

丝瓜视频黄瓜视频308:質量分析器磁鐵???????????????????310:質量解析孔

312:帶狀離子束???????????????????????320:透鏡系統

丝瓜视频黄瓜视频322:能量過濾器系統???????????????????324:扇形帶狀離子束

326:彎曲靜電板???????????????????????328:工件

330:加速/減速透鏡????????????????????402:帶狀離子注入器系統

丝瓜视频黄瓜视频406:離子源???????????????????????????408:質量分析器磁鐵

丝瓜视频黄瓜视频410:質量解析孔???????????????????????420:加速/減速平行化透鏡系統

丝瓜视频黄瓜视频422:能量過濾器系統???????????????????A:磁鐵

B:鋼?????????????????????????????????C:失真

具體實施方式

丝瓜视频黄瓜视频實施方式包括以下標題僅出于組織性目的:I.引論、II.說明性離子注 入器系統、III.具有主動式場束縛的電磁鐵、IV.應用,及V.結論。

I.引論:

如上文所指示,在一實施例中,本發明提供一種具有主動式場束縛的 電磁鐵,其可用于修改(modify)離子注入器系統中的離子束。在用于修 改(例如,彎曲、聚焦、質量分析(mass?analysis)等)離子束的電磁鐵 中,需要具有一種束縛偶極磁場而并不如習知鋼場箝位所進行的強加垂直 邊界條件的方式。一種提供此主動式場束縛的理論方法為引入具有零磁導 率(magnetic?permeability)(μ=0)而非鋼的高磁導率的區域。因此,此 區域將強加正切于表面的邊界條件,且在零磁導率區域內將不具有磁場。然 而,在零磁導率區域的外部的磁場將不為零,且結果,單單此區域并不提供 主動式場束縛特性。一種解決此情形的方法為利用高磁導率(例如,鋼)區域 來輔助零磁導率區域,以獲得束縛電磁鐵內部的偶極場(dipole?field)同 時保持其方向平行于邊界的所要效應,且亦使其外部磁場為零。然而,關于 此方法的挑戰為當零磁導率材料僅存在于超導狀態(Meisner效應)時如何 實施此條件。此外,甚至在低溫時,此方法將僅處置小于約100G的磁場,且 因此無法提供有用的解決方案。在本發明的一實施例中,如本文所述,實施 藉由使用表面電流而仿效超導層板以提供用于修改離子束的主動式場束縛 的區域。

II.說明性離子注入器系統:

參看圖3A,展示了說明性離子注入器系統10的俯視圖。離子注入器系 統10包括離子束產生子系統2,離子束產生子系統2用于產生離子束4且將 其傳輸通過離子束過濾子系統5、離子束掃描子系統6至目標子系統8。離 子束產生子系統2可包括任何現在已知或稍后研發的離子束產生器,諸如 可購自美商瓦里安半導體(股)公司(Varian?Semiconductor?Equipment Associates)的離子束產生器。通常,目標子系統8包括粘著至臺板 (platen)14的一或多個半導體目標12(例如,晶圓)。臺板14及目標12 的特征可由旋轉目標12(亦即,晶圓)的臺板驅動總成(未圖示)及控制 目標12的垂直位置的目標垂直掃描位置控制器18控制。離子注入器系統 10可包括熟習此技藝者已知的額外組件。舉例而言,目標子系統8通常包 括用于引入晶圓至離子注入器系統10中及用于在注入后移除晶圓的自動晶 圓處置設備、劑量量測裝置,淹沒式電子槍等,應了解,在離子注入期間 離子束4所橫穿過的整個路徑為真空的。

丝瓜视频黄瓜视频離子束產生子系統2亦進一步包括氣體流40、離子束源42、提取操縱 器(extraction?manipulator)44、過濾磁鐵46及加速/減速柱48。過濾 磁鐵46較佳經定位而極接近離子束源42。提取操縱器44定位于過濾磁鐵 46與離子束源42之間。加速/減速柱48定位于源過濾器46與質量分析器 50(mass?analyzer)之間。離子束過濾子系統5可包括質量分析器50,質 量分析器50可包括(例如)具有半圓半徑53的偶極原子質量單元(AMU)分 析磁鐵52及具有解析孔(resolving?aperture)56的質量解析狹縫54。

掃描子系統6可包括(例如)掃描器60及角度校正器62。可為靜電掃 描器的掃描器60偏轉經過濾的離子束以產生具有自掃描原點64發散的離 子軌道的經掃描的離子束。掃描器60可包括相隔開的掃描板66及68。離 子束4可根據掃描板66與68之間的電場而偏轉。角度校正器62設計為偏 轉經掃描的離子束4中的離子以使其具有平行離子軌道,亦即,以便聚焦 經掃描的離子束4。在一實施例中,角度校正器62可包括相隔開以界定間 隙的磁極片72,及磁線圈74。經掃描的離子束4通過極片72之間的間隙 且根據間隙中的磁場而偏轉。可藉由變化通過磁線圈74的電流而調整磁場。

根據本發明的多個實施例,電磁鐵110(圖4)可以若干方式實施于離 子注入器系統10中。舉例而言,電磁鐵110(圖4)可用作角度校正器62 磁鐵。

離子注入器系統10可附著至用于控制系統的多個組件的電腦系統100。

參看圖3B,展示了根據本發明的一實施例的呈帶狀離子束離子注入器 系統形式的另一說明性離子注入器系統300的俯視圖。離子注入器系統300 包括帶狀離子束產生器304,帶狀離子束產生器304可包括(例如)離子源 306、質量分析器磁鐵308及質量解析孔310。離子注入器系統300可為高 電流系統,例如,傳遞超過十毫安(mA)的離子束。如所指示,可使用現 有習知的窄狹縫點對點提取光學器件(發散實線)或長狹縫點對點提取光 學器件(平行虛線)來產生初始離子束。在任何情況下,質量分析器磁鐵308 提純初始離子束。應認識到,上述帶狀離子束產生器304僅為說明性的,且 在本發明的范疇內可采用其他系統。離子注入器系統300可進一步包括加 速/減速平行化透鏡系統320及能量過濾器系統322。加速/減速平行化透鏡 系統320(下文中稱作“透鏡系統320”)接收扇形帶狀離子束(fanned?ribbon ion?beam)324,亦即,自帶狀離子束產生器304接收,且更特定而言自質 量解析孔310接收。扇形帶狀離子束324可擴展為(例如)約35cm。術語“帶 狀”指示離子束沿側向方向為實質上狹長的。透鏡系統320至少將扇形帶 狀離子束324平行化為實質上平行帶狀離子束312,且亦可加速或減速帶狀 離子束324。透鏡系統320可包括用于平行化及或許加速或減速扇形帶狀離 子束324的一組彎曲靜電板326,及用于加速或減速實質上平行帶狀離子束 312的一組加速/減速透鏡330。應注意,因為質量解析孔310提供在所述 組彎曲靜電板326處高度均一的扇形帶狀束324,因此要求此等板(透鏡)326 的狹縫具有均一寬度。透鏡系統320下游的能量過濾器系統322在工件328 由實質上平行帶狀離子束312進行注入的前移除能量束縛。根據本發明的 多個實施例,電磁鐵110可實施于能量過濾器系統322中。

丝瓜视频黄瓜视频圖3C展示另一帶狀離子注入器系統402的側視圖,系統402類似于圖 3B中所示的系統,除了系統402將電磁鐵110用作質量分析器磁鐵408及 能量過濾器系統422的部分之外。系統402亦包括離子源406、質量解析孔 410及加速/減速平行化透鏡系統420,如上文所述。質量分析器磁鐵408 可包括電磁鐵110,如下文(例如)圖11中所示及關于圖11所述。

丝瓜视频黄瓜视频盡管上文已說明說明性離子注入器系統,但熟習此技藝者應了解,任何 現在已知或稍后研發的用以產生及掃描離子束的系統可用于本發明。由于 上述離子注入器系統中的每一種的操作在此項技藝中為熟知的,因此此等 過程的描述對于理解本發明而言并非必要的。然而,應了解,本發明可與 任何現在已知或稍后研發的離子注入過程及方法一起使用。出于簡潔的目 的,下文將僅參考圖3A的實施例,除非另有必要。

丝瓜视频黄瓜视频III.具有主動式場束縛的電磁鐵:

丝瓜视频黄瓜视频參看圖4至圖5,現將描述用于修改離子束的具有主動式場束縛的電磁 鐵110的一實施例。出于清晰的目的,圖4展示電磁鐵110的一實施例被 移除一側面后的透視圖,且圖5展示電磁鐵110的分解圖。電磁鐵110包 括箱體結構120,其包括由鐵磁材料(例如,鋼)制成的六個側面。因而,箱 體結構120包括第一側面122、第二相對側面124,第三側面126及第四相 對側面128,第五側面130(僅圖5展示)及第六相對側面132(僅圖5展 示)。本文所使用的“相對側面”意謂大體上相對,而未必為諸如平行的任 何特定角度位置。應認識到,僅出于參考的目的將第二側面124、第四側面 128及第六側面132稱為“相對側面”,且每一側面在邏輯上可被稱為相對 于一對應側面。第一側面122及第二相對側面124中的每一側面包括開口 134,以便在箱體結構120中形成窗口供離子束4通過。因此,電磁鐵110 可被稱為“窗口式框架電磁鐵(window-frame?electromagnet)”。

如圖5中所示,多個載流導線(current-carrying?wires)140(下文中 稱為“導線”)定位于箱體結構120內以便具有一沿箱體結構120的內表面 142的路徑。內表面142包括第一側面122及第二相對側面124以及第三側 面126及第四相對側面128,以使得形成電流回路144(圖4)。盡管展示為個 別導線,但熟習此技藝者將認識到,導線140實際上可為單個卷繞導線。在 一實施例中,導線140實質上沿內表面142均勻地分布。然而,可使用其 他配置以適應離子束4的特殊修改(若需要),在一實施例中,導線140可 分層,例如,分層為五層四分之一英時(1/4")的空心銅導線。如圖5中 所示,導線140經定位以圍繞第一側面122及第二相對側面124的每一開 口134延伸。圖4經由箭頭展示電流的流動。

在操作中,當電流流經導線140(如圖4中的箭頭所示)時,形成一電 磁場,且第五側面130及第六相對側面132充當磁極。磁通量146沿圖4中 的箭頭所示的方向流動。導線140中的電流消除由鋼側面引起的垂直場(參 見圖2中的失真C),且使電流自第三側面126返回至第四相對側面128,同 時仍允許用于離子束4的寬開口134(圖4)。此與習知系統相反,習知系 統沒有鋼側面且電流返回至箱體外部以將返回電流維持為盡可能遠離離子 束4。在習知情況下,必須在磁鐵末端外部使用鋼箝位以箝位邊緣場,此方 式分流偶極場且使其失真。然而,相反地,電磁鐵110的電流返回至箱體 結構120內與充當能量或場束縛壁的側面122、124相抵。在理想的極限情 況下,此等電流將均勻地覆蓋第一側面122及第二相對側面124,從而在箱體 結構120內部形成一極佳偶極場而外部為零場。然而,為了在側面122、124 內產生用于離子束4的開口134,導線140的路徑圍繞開口134,以此方式 則要求將至開口134的側面的電流擠合在一起(double?up)(參見圖5中 開口134附近的合并線)。盡管此擾亂理想情形,但仍然在內部獲得高偶極 場,且在長度約為開口134的高度的數量級的外部范圍內場降低至零而并未 極分離。亦即,電磁鐵110提供主動式場束縛且允許如所要高度的偶極箱 體而并不劣化離子束4所觀測到的場。在圖4的說明性電磁鐵110中,高度 可為約40cm。電磁鐵110亦于第一側面122、第二側面124、第三側面126 及第四側面128上均勻地返回磁通量。結果,可藉由避免習知系統中返回 至場箝位的大通量來獲得鋼飽和問題的較好管理。

丝瓜视频黄瓜视频轉看圖6至圖13,現將描述電磁鐵110的多個替代性實施例。轉看圖 6,電磁鐵亦允許使用較大電流密度而并不使鋼飽和,從而使得高溫超導體 (HTS)電磁鐵210的可能性更實務。因而,在一替代性實施例中,多個載 流導線240(虛線)可包括高溫超導(HTS)材料。在此種情況下,低溫恒 溫器260耦接至導線240。低溫恒溫器260僅包圍HTS導線240(而不是箱 體結構120的鐵磁材料)且可與電磁鐵210的內部一起定位。

丝瓜视频黄瓜视频參看圖7至圖8,上述電磁鐵結構允許于電磁鐵110內部提供若干額外 結構。舉例而言,如圖7的側視圖所示,高的束導引箱體270可定位于電 磁鐵110的箱體結構120內。束導引箱體270可由不受磁通量影響的材料 (例如,鋁)制成。束導引箱體270可容納束等離子體增強特征,諸如遠離 離子束4的定位于束導引箱體270的每一側面上的多尖角磁鐵(multiple cusp?magnet)272。線圈274環繞箱體結構120內的束導引箱體270。真空 276可存在于束導引箱體270的內部。在另一實例中,如圖8的俯視圖所示, 至少一個等離子體源280亦可定位于電磁鐵110內,例如,每一等離子體 源280臨近每一磁極(第五側面130及第六側面132(圖5))以引入中和 等離子體284。在一實施例中,等離子體源280可實施為熱燈絲DC放電, 或在另一實施例中可實施為RF感應放電。等離子體源280可使用磁通量146 以經由離子束4傳送電子。束導引箱體270亦可提供于此實施例中。

丝瓜视频黄瓜视频如圖9A至圖9B中所示,根據另一替代性實施例,第一側面122及第 二相對側面124中的每一側面可具有一鄰近各別開口134的實質上凸起外 表面290。開口134對偶極場的干擾引起離子束4的邊緣處的離子比中心處 的離子更彎曲,從而使得離子束4的橫截面經成形而如圖10中的曲線292 所示。凸起外表面290藉由移除離子束4的弓形而補償此失真。盡管外表 面290展示為線性表面,但其可為步進形或曲線形或為允許材料朝向各別 開口134的中心漸進增長的任何其他形狀。

參看圖11的側視圖,在另一替代性實施例中,第一側面122及第二相對 側面124以相對于彼此并不平行的方式成角度以便容納離子束4的彎曲。 亦如圖11所示,第三側面126及第四側面128可經成形以實質上對應于離 子束4通過電磁鐵110的路徑。舉例而言,第三側面126及第四側面128 可取決于離子束4的路徑而為成角度的或彎曲的。

轉看圖12的端視圖,在另一替代性實施例中,第五側面130及第六相對 側面132可經改變以對離子束4提供不同效應。舉例而言,第五側面130及 第六相對側面132可以相對于彼此并不平行的方式成角度以便允許垂直聚 焦,亦稱為有效分度。在此種情況下,第五側面130及第六相對側面132充 當極墊片。以此方式,成角度產生一梯度磁場以使得產生一聚焦效應。另外 或替代地,如圖13的端視圖所示,第五側面130及第六相對側面132中的 至少一側面可包括至少一彎曲部分以便補償或校正磁場中由第一側面122 及第二相對側面124中的開口134引起的偏差。

丝瓜视频黄瓜视频可個別地或以任何所要組合的方式使用上述替代性實施例。

IV.應用:

丝瓜视频黄瓜视频電磁鐵的上述實施例可用于離子注入器系統內的多種不同位置中及用 于產生且聚焦帶電粒子束的其他系統中,在一實施例中,電磁鐵可用作在 離子注入器系統中的最終加速/減速柱114(圖3A)、320(圖3B)、420(圖 3C)的后的能量束縛過濾系統112(圖3A)、322(圖3B)、422(圖3C)。在 另一實施例中,電磁鐵可用作質量分析磁鐵,諸如用于質量分析器50(圖 3A)、308(圖3B)、408(圖3C)中。

V.結論:

已出于說明及描述的目的呈現本發明的多個態樣的前述描述。并不希 望所述描述為詳盡的或將本發明限制為所揭露的精確形式,且明顯地,許多 修改及變體為可行的。希望熟習此技藝者所顯而易見的此種修改及變體包 括于由后附的申請專利范圍所界定的本發明的范疇內。